В учебном пособии рассмотрены свойства основных полупроводниковых материалов и характеристики барьерных структур (p-n-переходов и гетеропереходов), использующихся при создании оптоэлектронных приборов. Описаны принципы действия, основные характеристики и конструкции фотодиодов, фотопреобразователей, светодиодов и инжекционных лазеров.
Для студентов старших курсов высших учебных заведений, обучающихся по направлениям "Физика", "Радиофизика", "Электроника и наноэлектроника", а также аспирантов и научных сотрудников, работающих в области полупроводниковой электроники и оптоэлектроники.
Тираж 100 экз.
Дополнительно: При заказе от 1500 р. отправка Почтой России бесплатно.
При заказе от 5000 р. разовая скидка 15% и отправка Почтой России бесплатно.
За пределы РФ книги не высылаю
Встречи по договоренности исключаются.